OLED镀膜氟化锂

   OLED镀膜专用氟化锂,高纯氟化锂,立车光电材料,先分析锂功能与作用,锂验电解质组成分所起作用主要是降低电解质初晶点,提高其导电率,此外还减小其密度,改善电解质表面张力,从而达到提高电流效率,降低吨铝电耗目.其缺点是降低A12O3在溶液中溶解度.由于锂盐价格昂贵关系,直到最近,锂盐才广泛地在铝工业上进行试验和应用,有使用炭酸锂,因为炭酸锂在高温下分解成Li2O,而氧化锂又与冰晶石发生反应合成为氟化锂,同样也可起到添加氟化锂作用.
存储方法:
   保持贮藏器密封,放入紧密贮藏器内,储存在阴凉,干燥地方.
主要用途:
氟化锂可作为助溶剂广泛用于搪玻璃,铜,铝焊接过程中和盐熔化学工艺中；也被推荐作为航天技术贮存太阳辐射热能载热剂；还可用于铝电解和冶金工业中.高纯氟化锂用于制氟化玻璃,也可用于制作分光计和X射线单色仪棱镜.锂离子电池原料.
.在铝电解生产中作电解质组分,可提高电导率和电流效率,从而提高金属生产能力并降低成本,还可以改善碳阳极润湿性.在陶瓷工业中具有降低燃烧温度和改善抗骤冷骤热性能,用作铝和铝合金焊接助熔剂组分.高纯氟化锂用于制氟化锂玻璃,也用于制作分光计和Ｘ射线单色仪棱镜.
用作波长分析型犡射线荧光光谱仪中分析晶体.还用作干燥剂,助熔剂.用于搪瓷工业,光学玻璃制造.
    氟化锂合成方法:将固体碳酸锂加入氟化氢溶液中,使之反应析出LiF结晶,经过滤,干燥即得产品.有中和法和复分解法两种方法.工业生产多采用中和法.中和法是以碳酸锂或氢氧化锂与氢氟酸反应制备氟化锂.其反应式如下:2.用碳酸锂与氢氟酸反应.立车光电晶体材料
在铂皿中加入40%氢氟酸,再将纯净碳酸锂慢慢加入,时有二氧化碳放出,加热将溶液蒸干并强烈灼烧,赶尽CO2和水分,趁热用铂杵将干涸氟化锂粉碎,装入塑料瓶中保存.
采用中和法.碳酸锂或氢氧化锂与氢氟酸反应制得氟化锂,经过滤,干燥制得产品.
将99.9%金属锂溶于电导水中,然后在不断搅拌下,慢慢加入纯氢氟酸,使沉淀慢慢析出:
当溶液由碱性变为酸性时,停止加酸,静置0.5h,抽滤后用不含二氧化碳电导水洗涤沉淀,然后于300-400℃下灼烧,冷却后即得高纯品.
氟化锂 LiF 1-4mm 99.99 250g 308300 透明晶体
产品详情:LiF晶体颗粒,规格0.1-1mm,纯度99.999%,主要用于OLED电极镀层材料,立车光电无机盐.
外观与性状:白色粉末或立方晶体. 熔点(℃):848  相对密度(水=1):2.6350 　沸点(℃):1681(于1100-1200℃挥发) 分子式:LiF   分子量:25.94       水中溶解度:2.7g/L   饱和蒸汽压(kPa): 0.133/1047℃ 溶解性: 难溶于水,不溶于醇,溶于酸.含量(%):99.99
LiF超薄层引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态形成,增强了器件稳定性.实验结果表明: LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件亮度和效率,含有1 nm厚LiF空穴缓冲层器件性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1.5倍.
将厚度为0.5 nmLiF薄层引入到双层有机电致发光器件(OLEDs)Alq3发光/电子传输层中作为空穴阻挡/激子限制层,研究其位置对器件光电性能影响.发现LiF薄层在不同位置均明显提高器件发光效率,当LiF薄膜距离TPD/Alq3界面20-40 nm时,OLEDs最大发光效率约为4.5 cd/A,是对比器件(没有LiF薄层)1.8倍.OLEDs电流密度随着减小LiF薄层与阴极距离而增大.研究表明,这是因为LiF薄层可有效阻挡进入复合发光区域未复合过剩空穴并导致其积累,空穴积累可提高电子传输区域中电场,提高其中电子传输和从阴极注入,从而提高复合发光区域中载流子平衡及其复合几率;LiF薄层可将激子限制在复合发光区域,减少激子被阴极淬灭几率.
立车光电材料用真空热蒸发镀膜法,在OLED层状结构中引入不同厚度LiF作阳极修饰层,制备了结构为ITO/LiF/TPD/Alq3/Al器件.LiF超薄层引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态形成,增强了器件稳定性.实验结果表明:LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件亮度和效率,含有1nm厚LiF空穴缓冲层器件性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1.5倍.